Thép siliclà vật liệu từ tính được sử dụng rộng rãi trong ngành sản xuất máy biến áp, bao gồm cả thép silicon CRNGO vàThép silic CRGO, đặc biệt là trong sản xuất máy biến áp nhỏ và đồ gia dụng.
Đối với khách hàng, việc biết được các yếu tố chính ảnh hưởng đến tính chất điện từ của thép tấm silic sẽ giúp dễ dàng hơn trong việc đáp ứng yêu cầu với các sản phẩm thép silic tương ứng.
Thép điện cán nguội
Phần 1 - Ảnh hưởng của các nguyên tố hợp kim đến tính chất điện từ
Thành phần hóa học trong thép silicon, đặc biệt là hàm lượng các nguyên tố hợp kim như Si và C, đã được chứng minh là quan trọng để cải thiện tính chất điện từ của tấm thép silicon.
--- Nội dung silicon
Silicon có ảnh hưởng đến tính chất điện từ, làm tăng điện trở và giảm tổn thất dòng điện xoáy. Silicon cũng có thể thúc đẩy quá trình làm thô hạt ferrite, giảm lực kháng từ, giảm tính dị hướng của tinh thể, do đó độ từ hóa tăng lên và độ mất trễ giảm. Tấm thép silicon có độ tự cảm từ mạnh dưới từ trường yếu. Thay vào đó, dưới tác dụng của từ trường mạnh, silicon làm giảm độ tự cảm từ của thép vì độ tự cảm từ bão hòa giảm 500 Gauss cứ mỗi 1% silicon tăng lên.
--- Hàm lượng cacbon
Carbon có hại cho tính chất từ của tấm thép silicon. Nó làm tăng độ kháng từ và mất độ trễ, đồng thời làm giảm cường độ cảm giác từ tính. Nếu hàm lượng carbon vượt quá 0,0296% trong tấm thép silicon thành phẩm, hướng của thép silicon sẽ bị phá hủy một phần hoặc hoàn toàn trong quá trình ủ ở nhiệt độ cao.
Do đó, đối với GOES (thép điện định hướng hạt), sẽ không có hàm lượng cacbon cao; trong khi NGOES (thép điện định hướng không tạo hạt), có hàm lượng carbon cao hơn 0,02%, không thể được sử dụng để sản xuất các sản phẩm thép cao cấp. Tổn thất sắt tăng lên khi hàm lượng cacbon được bổ sung vào tấm thép silicon.
Phần 2 - Ảnh hưởng của cấu trúc vi mô đến tính chất điện từ
--- Kích thước hạt
Kích thước hạt của tấm thép silicon phụ thuộc vào hạt sau khi ủ, thường là lượng hạt trên một đơn vị diện tích. Trong quá trình sản xuất thực tế, nếu các hạt quá lớn, không phải tất cả cacbon đều có thể kết tủa dưới dạng cacbua dọc theo ranh giới hạt như dự kiến, một số nguyên tử cacbon bị hòa tan trong ferit dưới dạng dung dịch rắn xen kẽ. Vì vậy, khi kích thước hạt tăng lên thì tổn thất sắt cũng tăng lên.
--- Độ dày của tấm
Tấm thép silicon càng mỏng thì tổn thất dòng điện xoáy càng nhỏ và do đó tổng tổn thất lõi của tấm thép silicon càng nhỏ. Vì vậy, tấm thép silicon thường được chế tạo thành tấm mỏng theo yêu cầu. Khi độ dày của tấm thép giảm từ {0}}.5mm đến 0.2mm thì giá trị B25 giảm dần; khi độ dày tiếp tục giảm xuống {{10}}.10-0.05mm, giá trị B25 giảm mạnh hơn. Chênh lệch giữa giá trị B25 của thép biến áp cán nóng dày 0,5mm và 0,05mm là 500-1100 Gauss.
Phần 3 - Ảnh hưởng của kỹ thuật xử lý đến các đặc tính điện từ
Quy trình cán nguội thép silicon không định hướng
Việc cán các tấm thép silicon có tác động đáng kể đến cấu trúc vi mô của tấm thép sau khi ủ và có sự khác biệt rất lớn về tính chất điện từ. Thép silic không định hướng thông thường thường được sản xuất bằng cán nguội sơ cấp, và thép silic không định hướng cao cấp thường được sản xuất bằng cán nguội thứ cấp. Sau khi thép silicon được cán nguội, các hạt ferrite sẽ lớn hơn và ranh giới hạt sẽ nhỏ hơn, do đó điện trở từ sẽ thấp hơn và tổn thất trễ sẽ nhỏ hơn.
